説明
ダイオード GEN PURP 40V 100MA SC59
これらのシリコン エピタキシャル プレーナ ダイオードは、超高速での使用向けに設計されています。
アプリケーションの切り替え。これらのデバイスは、SC-59 パッケージに収納されています。
低消費電力の表面実装アプリケーション向けに設計されています。
詳細な説明
| 製造元部品番号 | M1MA151KT2 |
| 製造元 | オンセミ |
| シリーズ | - |
| パッケージ | バルク |
| 商品状態 | アクティブ |
| テクノロジー | 標準 |
| 電圧 - DC 逆方向 (Vr) (最大) | 40V |
| 電流 - 平均整流 (Io) | 100mA |
| 電圧 - 順方向 (Vf) (最大) @ If | 1.2V@100mA |
| スピード | 小信号 =< 200mA (Io)、任意の速度 |
| 逆回復時間 (trr) | 3ns |
| 電流 - 逆漏れ @ Vr | 35Vで100nA |
| 静電容量 @ Vr、F | 2pF@0V、1MHz |
| 取付タイプ | 表面実装 |
| パッケージ・ケース | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 |
| サプライヤー デバイス パッケージ | SC-59 |
| 動作温度 - ジャンクション | 150℃（最高） |
ダウンロード
https://rocelec.widen.net/view/pdf/9dsgofd4o6/MOTOS05463-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
説明
ダイオード GEN PURP 40V 100MA SC59
これらのシリコン エピタキシャル プレーナ ダイオードは、超高速での使用向けに設計されています。
アプリケーションの切り替え。これらのデバイスは、SC-59 パッケージに収納されています。
低消費電力の表面実装アプリケーション向けに設計されています。
詳細な説明
| 製造元部品番号 | M1MA151KT2 |
| 製造元 | オンセミ |
| シリーズ | - |
| パッケージ | バルク |
| 商品状態 | アクティブ |
| テクノロジー | 標準 |
| 電圧 - DC 逆方向 (Vr) (最大) | 40V |
| 電流 - 平均整流 (Io) | 100mA |
| 電圧 - 順方向 (Vf) (最大) @ If | 1.2V@100mA |
| スピード | 小信号 =< 200mA (Io)、任意の速度 |
| 逆回復時間 (trr) | 3ns |
| 電流 - 逆漏れ @ Vr | 35Vで100nA |
| 静電容量 @ Vr、F | 2pF@0V、1MHz |
| 取付タイプ | 表面実装 |
| パッケージ・ケース | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 |
| サプライヤー デバイス パッケージ | SC-59 |
| 動作温度 - ジャンクション | 150℃（最高） |
ダウンロード
https://rocelec.widen.net/view/pdf/9dsgofd4o6/MOTOS05463-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
