説明
DIODE GEN PURP 200V 3A アキシャル |
詳細な説明
| 製造元部品番号 | DLE30C-KC9-ND |
| 製造元 | オンセミ |
| シリーズ | - |
| パッケージ | バルク |
| 商品状態 | 廃止 |
| テクノロジー | 標準 |
| 電圧 - DC 逆方向 (Vr) (最大) | 200V |
| 電流 - 平均整流 (Io) | 3A |
| 電圧 - 順方向 (Vf) (最大) @ If | 980mV@3A |
| スピード | 高速回復 =< 500ns、> 200mA (Io) |
| 逆回復時間 (trr) | 35ns |
| 電流 - 逆漏れ @ Vr | 400Vで10μA |
| 静電容量 @ Vr、F | - |
| 取付タイプ | スルーホール |
| パッケージ・ケース | DO-201AD、アキシャル |
| サプライヤー デバイス パッケージ | 軸方向 |
| 動作温度 - ジャンクション | 150℃（最高） |
| ベース製品番号 | DLE30 |
ダウンロード
https://media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/ON%20Semiconductor%20PDFs/DLE30E.pdf
説明
DIODE GEN PURP 200V 3A アキシャル |
詳細な説明
| 製造元部品番号 | DLE30C-KC9-ND |
| 製造元 | オンセミ |
| シリーズ | - |
| パッケージ | バルク |
| 商品状態 | 廃止 |
| テクノロジー | 標準 |
| 電圧 - DC 逆方向 (Vr) (最大) | 200V |
| 電流 - 平均整流 (Io) | 3A |
| 電圧 - 順方向 (Vf) (最大) @ If | 980mV@3A |
| スピード | 高速回復 =< 500ns、> 200mA (Io) |
| 逆回復時間 (trr) | 35ns |
| 電流 - 逆漏れ @ Vr | 400Vで10μA |
| 静電容量 @ Vr、F | - |
| 取付タイプ | スルーホール |
| パッケージ・ケース | DO-201AD、アキシャル |
| サプライヤー デバイス パッケージ | 軸方向 |
| 動作温度 - ジャンクション | 150℃（最高） |
| ベース製品番号 | DLE30 |
ダウンロード
https://media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/ON%20Semiconductor%20PDFs/DLE30E.pdf
